第31届IEEE国际功率半导体器件与集成电路会议(ISPSD 2019)圆满举办

第31届国际功率半导体器件与集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)）于5月20日至5月23日在中国上海圆满举办。本次ISPSD国际会议由浙江大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，由中国电机工程学会技术主办，由电气和电子工程师协会、IEEE电子器件学会、IEEE电力电子协会、IEEE工业应用协会、日本电气工程师协会技术协办。会议主席由浙江大学电气工程学院院长盛况教授担任。

第31届ISPSD会议开幕式

在开幕式上，ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授首先致欢迎辞，他对与会的专家、学者、同行表示热烈的欢迎。他指出，自31年前在日本东京召开第1届会议以来，ISPSD已成为国际上电力电子器件行业发展、技术进展和创新理念交流共享最重要的平台，电力电子器件领域的重大研究成果和重要学术进展大多也在这个会议上首次发表。他希望通过此次会议，专家学者可以分享与交流最新的研究和发现，参会者也借此机会结交志同道合的朋友。他诚邀首次参加ISPSD的参会者以后每年都齐聚ISPSD，成为功率半导体器件集成电路大家庭的一员。

ISPSD大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授致辞

ISPSD技术程序委员会主席、香港科技大学Kevin Chen教授介绍了本次参会论文录取情况，共收到摘要论文299篇，经过领域内权威专家的严格评审，最终入选128篇论文。

ISPSD技术程序委员会主席、香港科技大学Kevin Chen教授作报告

第30届ISPSD大会主席、美国伊利诺伊斯理工大学John Shen宣读了入选名人堂的两位教授名单， Alex Lidow教授因对硅和氮化镓功率器件技术的卓越贡献而获此殊荣，Don Disney教授因其对功率IC技术的贡献以及他在组织ISPSD会议中的领导作用而获此殊荣。

第30届ISPSD大会主席、美国伊利诺伊斯理工大学John Shen宣布入选名人堂名单

  ISPSD宣传主席、多伦多大学Wai Tung Ng教授宣布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文获得第30届ISPSD会议******论文奖（Ohmi Best Paper Award）。

ISPSD宣传主席、多伦多大学Wai Tung Ng教授宣布******论文奖

本届ISPSD国际会议“星光璀璨”，相关领域的国内外知名专家学者、企业界同行齐聚盛会。会议吸引了中国大陆、中国香港、中国台湾、日本、美国、韩国、德国、意大利、新加坡、瑞士、加拿大、法国、比利时、印度等24个国家和地区的600余人参会。大会分设11场专题报告和2场海报报告，主题涵盖了高压和低压器件、宽禁带碳化硅和氮化镓器件、功率集成电路、封装与驱动等功率半导体领域的所有方面。

ISPSD专题报告会会场

5月23日下午，ISPSD2019国际会议举行闭幕式。闭幕式由大会主席、浙江大学电气工程学院院长盛况教授主持，他全面总结了本届ISPSD国际会议的规模与成果，并宣读了会议评选出的两位******青年学者奖（Charitat Award）得主，来自加拿大多伦多大学的Wei Jia Zhang和来自日本京都大学的Takuya Maeda斩获殊荣。

在会议交接仪式上，下一届ISPSD主席、英飞凌公司的Oliver Haberlen博士代表主办方介绍了下届会议各项准备工作的进展，并邀请与会者于2020年莅临奥地利维也纳共同参加下一次盛会。ISPSD的会议大旗由本届主席盛况教授递交到下届主席Oliver Haberlen博士手中，标志着此次会议圆满结束，下届会议的周期正式开始。

第31届、32届ISPSD会旗交接仪式

本次会议获与会者高度评价，一致感谢主办方浙江大学的悉心操持，并认为会议议题全面而前沿，而上海的人文与自然景观则使人印象深刻，流连忘返。

IEEE ISPSD是功率半导体领域最具影响力和规模******的顶级国际学术会议，一般在日本、北美和欧洲之间轮换。本届会议是ISPSD首次由中国大陆主办，得益于中国电力电子器件和集成电路的高速发展，标志着我国本行业的发展进入新纪元！